產(chǎn)品介紹：

高純碳化硅粉料作為現(xiàn)代制造的戰(zhàn)略性基礎材料，其純度、粒徑及形貌的精準調控是推動半導體、新能源及國防科技發(fā)展的關鍵。本公司生產(chǎn)的超純碳化硅粉體材料主要針對半導體及光伏領域的碳化硅結構件、第三代半導體碳化硅單晶的生長需求，粒徑可實現(xiàn)百微米到毫米級精準控制，產(chǎn)品純度>99.9990%，可達5N、6N級別，其中半絕緣型產(chǎn)品氮含量低于 0.5ppm，導電型產(chǎn)品氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間。主要應用于對碳化硅純度有高要求的領域，如半導體、光伏、特種陶瓷等。

高純碳化硅粉料性能特點：  

 1. 超高純度與低雜質  

 金屬雜質控制：電子級粉料中Fe、Al、Ni等金屬雜質＜1ppm（SEMI標準），保障半導體器件電學性能；  

 氧含量低：氧含量＜0.5wt%，避免高溫燒結中生成SiO?影響致密性。    

 2. 優(yōu)異熱學與化學穩(wěn)定性  

 高溫惰性：耐溫＞2000℃，抗氧化性優(yōu)于石墨；  

 耐腐蝕性：耐受強酸（HF除外）、強堿及熔融金屬侵蝕。  

 3. 功能可調性  

 電學性能調控：通過摻雜（如Al、N）實現(xiàn)n型/p型半導體特性，電阻率范圍10?2~10?Ω·cm；  

 表面改性：包覆SiO?或Al?O?涂層，提升粉體分散性與燒結活性。  

典型應用場景：

 1. 半導體與第三代半導體  

 碳化硅單晶生長：作為籽晶或原料粉，用于生長SiC襯底（純度＞99.9995%）；  

 外延片制造：CVD法沉積SiC外延層，適配新能源汽車、5G基站的高壓功率器件。  

 2. 先進陶瓷與復合材料  

 燒結碳化硅陶瓷：用于光伏晶舟、懸臂槳、噴嘴等高溫部件，抗彎強度＞2500MPa；  

 金屬基復合材料：添加納米SiC粉（5~10vol%），提升鋁合金/鈦合金的耐磨性與剛度。  

 3. 新能源與儲能領域  

 鋰電池負極涂層：納米SiC粉體涂覆石墨負極，提升倍率性能與循環(huán)壽命（＞2000次）；  

 核反應堆材料：作為中子吸收劑（與B?C復合），用于控制棒及屏蔽結構。  

 4. 精密涂層與功能材料  

 耐磨涂層：等離子噴涂納米SiC涂層，硬度＞3000HV，用于航空發(fā)動機葉片；  

 吸波材料：與樹脂復合制成隱身材料，雷達波吸收率＞90%（8~18GHz頻段）。